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シリコンウェハ再生　Silicon Wafer Reclaim

ドライエッチング技術　Technology of Dry Etching

九州電通のプラズマエッチングは、イオンダメージが少ない独自のプラズマドライプロセスを用いて、 ウェハー表面を忠実に再現するシリコンウェハ再生処理技術です。 シリコンウェハの再生依頼やエッチング装置の開発・販売も行っておりますので、お気軽にお問い合わせください。

KDKプラズマエッチングの特徴1 Plasma Etching Feature1

KDKプラズマエッチングの特徴2 Plasma Etching Feature2

プラズマエッチング前後 Plasma Etching Before After

KDKプラズマエッチング特徴まとめ Plasma Etching Feature Summary

• 弊社工程内に於いて、HFのような特殊薬液を使用しないので、廃液処理を必要とせず環境への負荷を小さくすることが出来る。
• 均一プラズマによる優れた精密加工面復元力により、シリコンウェハの板厚減少が極めて少ない（約1μm）ので、飛躍的に再生効率が向上する。
• 再生回数が飛躍的に伸びるので、再生ウェハに於ける顧客のランニングコストが飛躍的に減少する。
• 加工量が少ないので、資源を有効活用することができ、顧客の環境への取組みに対して貢献できる。

プラズマエッチング装置　Plasma Etching Machine

12インチ対応 全自動プラズマエッチング装置（自社製）

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